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          用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的μModule 穩壓器 工作在 3.3VIN 至 15VIN 并可安放在 0.5cm2 PCB 面積內
          • 企業:凌力爾特公司    
          • 點擊數:13244     發布時間:2016-04-15 16:38:00
          • 分享到:

          加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 4 月 14 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路輸出µModule (電源模塊) 穩壓器 LTM4632,用于為新型 QDR4 和較老式的 DDR SRAM 之所有三個電壓軌供電:VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF)。 LTM4632 采用一個微型、輕量和超薄的 LGA 封裝 (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm),其可焊接在 PCB 的背面,配合 采用一個電阻器和三個電容器時,占板面積僅為 0.5cm2 (雙面) 或 1cm2 (單面)。一個 LTM4632 能提 供 3A VDDQ 和 ±3A VTT (=1/2*VDDQ),所以兩個并聯的 LTM4632 能夠為較大的存儲器組提供高達每電源軌 6A。對于 超過 6A 的 VDDQ,LTM4632 可配置為與 LTM4630 一起給大型 SRAM 陣列提供介于 18A 和 36A 之間的 VDDQ。 如果 VDDQ 已經可用,則可配置 LTM4632 以提供一個高達 6A 的兩相單路 VTT 輸出。

          LTM4632 可 采用一個 3.3V 的低輸入電源、以及標準的 5V 和 12V 輸入 (最高 15V) 工作 。兩個輸出電壓 (VDDQ 和 VTT) 的范圍均 為 0.6V 至 2.5V。第三個輸出是一個用于 SRAM 之 VTTR 的低噪聲 10mA 緩沖輸出。應用包括 PCIe、基于云的系統、 RAID、視頻處理和采用這些 SRAM 的網絡:DDR / DDR-II / DDR-III / DDR4 / QDR / QDR- II / QDR-II+ 和 QDR4。

          LTM4632 包含一個三路輸 出 DC/DC 穩壓器、電壓除二電路、電源開關、電感器和支持組件,采用了緊湊和超薄的封裝。LTM4632 的額定工作溫度范圍 為 -40°C 至 125°C。E 級版本的千片批購價為每片 7.35 美元,而 I 級版本的千片批購價則為每片 8.09 美元。如需更多信息, 請登錄 www.linear.com.cn/product/LTM4632。

           

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          用于 DDR-QDR4 存儲器電源的超薄µModule 穩壓器

          性能概要:LTM4632

          占板面積為 1cm2 (單面 PCB) 或 0.5cm2 (雙面 PCB) 的完整 DDR / QDR4 存儲器電源解決方案

          3A VDDQ + 3A VTT 或兩相單路 6A VTT

          寬輸入電壓范圍:3.6V (VIN 連接至 INTVCC) 至 15V

          0.6V 至 2.5V 輸出電壓范圍

          ±1.5%、±10mA 緩沖 VTTR = VDDQ/2 輸出

          外部頻率同步

          超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封裝

          本文給出的美國報價僅供預算之用。各地報價可能因當地關稅、各種稅款、費用以及匯率不同而有所分別。

           

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